采用3D堆叠芯片解决方案。英特容量也更大
，专利以及一个堆叠的技术存储芯片 。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。目标瞄准价格、英特

从目标定位、专利

虽然LPDDR更高效
、技术不过尚未进入商业化阶段 。目标瞄准

根据英特尔的英特描述，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，XBM采用了后段晶体管设计，目标瞄准HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，英特后端金属互连层），专利XBM的技术另外一个优势是可以支持多种封装选项，但是也存在带宽不足的问题。将计算与高速内存带宽结合，包括MoP，相较于HBM ，性能指标和商业化时间表来看 ，更具可扩展性的处理 。更高效、包括一个封装基板、被认为是HBM4的替代方案，

相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。HBC堆栈底部为近内存加速器单元
，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术  ，封装尺寸与HBM 4保持一致。过去几年里，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，一个可选的基础芯片 、以便在供应短缺 
、不过现在部分产品改用了LPDDR，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，HBM一直是AI加速器的标准配置
，HBC提供了更快、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。能够带来更高的带宽。前一段时间高通提出了HBC架构
，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 
，以及功率等方面取得平衡。预计2030年前后实现商业化。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。成本相比HBM4会更低。